Описание продукта

Из-за значительных колебаний цен на электронные компоненты цена, указанная на дисплее, не может быть использована в качестве окончательной цены сделки.Пожалуйста, обратитесь за справкой в службу поддержки клиентов.Поскольку у нашей компании есть большое количество моделей для продажи, продукты, которые невозможно вовремя поставить на полку, если вы не можете найти необходимые вам материалы, пожалуйста, свяжитесь с онлайн-службой поддержки клиентов или поблагодарите вас

VDS (V) 12 конфигураций (вкл.) макс. при VGS = 4,5 В (Мом) 76IDM - импульсный ток стока (Макс.) (A) 13,5QG тип (nC) 0,91QGD тип (nC) 0,15QGS тип (nC) 0,19 Корпус (мм) LGA 0.7x0.6mmVGS (V) 8VGSTH тип (V) 0,85ID - кремний ограничен при Tc = 25degC (A) 3,6ID - пакет ограничен (A) 3,6 Логика Уровень да

Этот N-канальный MOSFET FemtoFET™ с напряжением 63 Мом и напряжением 12 В разработан и оптимизирован для минимизации занимаемой площади во многих портативных и мобильных приложениях.Эта технология способна заменить стандартные МОП-транзисторы с малым сигналом, обеспечивая при этом существенное уменьшение занимаемой площади.